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BSM200GA120DN2 參數
制造商Infineon
產品種類IGBT 模塊
RoHS是
產品IGBT Silicon Modules
配置Single
集電極—發射極*大電壓 VCEO1200 V
集電極—射極飽和電壓2.5 V
Continuous Collector Current at 25 C300 A
柵極—射極漏泄電流200 nA
功率耗散1550 W
*大工作溫度+ 150 C
封裝 / 箱體62MM
柵極/發射極*大電壓+/- 20 V
*小工作溫度- 40 C
安裝風格Screw
英飛凌igbt模塊BSM200GA120DN