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華科智源大功率IGBT測試儀
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最后更新: 2021-09-12 12:39
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詳細信息
HUSTEC-1600A-MT是一款大功率器件參數測試儀,可用于IGBT單管及模塊,SIC器件,MOS管,二極管等功率器件的靜態參數測試。
產品測試電流電壓為1600A,±5000V,向下兼容,可升級到3KA/10KV.
VGE可達±100V;開啟電壓VGETH支持兩種測試方法;
采用插槽式設計結構,便于升級和維護;
設備支持SI基,SIC材料的MOS管,IGBT單管及模塊,二極管測試,晶閘管測試,
自動進行分檔測試,既覆蓋大功率特征下的測試范圍,又可保證小功率器件測試精度
支持單點測試,I-V曲線掃描,還具有曲線對比功能;同一規格型號,不同批次的產品曲線對比,同一規格,不同廠家之家的產品曲線對比
開放通訊接口,可以連接探針臺做wafer / chip 測試,也可以連接HANDLE,夾具及適配器做模塊測試,
測試數據可存儲為Excel文件,WORD報告
技術指標 Technical Specifications
技術指標
★ 3.4 VGE(th)柵極閾值電壓 VGE:0.1~10V±1%±0.01V;
 3.5 VGE(th)
測試條件與精度 集電極電流Ic:
10~50mA±1%±0.5mA;
50~200mA±1%±1mA;
200~1000mA±1%±2mA;
★ 3.6 VCES集射極截止電壓 VCES:0-5000V±1%±2V;
 3.7 VCES
測試條件與精度 集電極電流ICES:
0.01~1mA±3%±0.001mA;
1~10mA±2%±0.01mA;
10~50mA±1%±0.1mA;
★ 3.8 ICES集射極截止電流 集電極電流ICES:0.01~50mA
0.001~1mA±3%±0.001mA;
1~10mA±2%±0.01mA;
10~50mA±1%±0.1mA;
 3.9 ICES
測試條件與精度 集電極電壓VCES:50~500V±1%±1V;
500~5000V±1%±2V;
★ 3.10  VCE(sat)飽和導通壓降 集電極電壓VCEs:0.001~10V±0.5%±0.001V
 3.11 VCE(sat)
測試條件與精度
 柵極電壓Vge:5~40V±1%±0.01V
集電極電流ICE:0-1600A
0~100A±1%±1A;
100~1600A±1%±1A;
★ 3.12  Iges柵極漏電流 柵極漏電流IGEs:0.01~10μA±2%±0.005μA
 3.13 Iges測試條件與精度 柵極電壓Vge:±1V~100V±1%±0.1V;Vce=0V;
★ 3.14  VF正向特性測試 二極管導通電壓Vf:0.1~10V±1%±0.01V
 3.15 VF正向特性測試
測試條件與精度 電流IF:0~100A±2%±1A;
100~1600A±1%±2A;
詢價單
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