導讀

層狀二維材料具有獨特的物理化學性質(zhì)，使其在光電器件、傳感、能源和催化等領域得到了高度關注和廣泛應用。二維材料在制備過程中不可避免引入結(jié)構(gòu)缺陷，雖然這些缺陷尺度僅為數(shù)納米甚至單原子，但是會極大地改變材料的結(jié)構(gòu)和電子性質(zhì)，從而影響其應用。如果能在二維材料的工作環(huán)境下（大氣或者液相）高空間分辨地表征缺陷的晶格結(jié)構(gòu)與電子性質(zhì)，有助于準確地理解二者之間的聯(lián)系，獲取明確的構(gòu)效關系。這對有效地進行缺陷工程化，進一步優(yōu)化基于薄層二維材料的應用具有重要意義。然而，深入研究非石墨烯二維材料缺陷的結(jié)構(gòu)與電子性質(zhì)仍是一個巨大的挑戰(zhàn)，急需原位、高空間分辨的表征技術。

該工作通過校內(nèi)外課題組緊密合作，在任斌教授、譚平恒研究員（中科院半導體研究所）和王翔博士共同指導下完成。實驗部分主要由黃騰翔博士（第一作者，已畢業(yè)化學系博士生）完成，電子能帶結(jié)構(gòu)與光譜理論計算由譚平恒研究員課題組從鑫博士生（共同第一作者）完成，吳思思、林楷強、姚旭、何玉韓、吳江濱、包一凡、黃聲超等參與了實驗與討論。研究工作得到科技部、國家自然科學基金委員會、福建省自然科學基金和中國博士后基金資助。

來源 | 廈門大學新聞網(wǎng) 編輯 | 化學加