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三星官方宣布成功研發(fā)為什么3nmGAAFET工藝芯片,功耗下降50%

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2020-01-06  來源:來自互聯(lián)網  作者:來自互聯(lián)網  瀏覽次數:187
導讀

1月6日消息,來自《韓國經濟》雜志的報道,三星電子旗下的半導體部門已經成功研發(fā)了全球首款3nm工藝制程的芯片。 在目前市面上流通的電子設備芯片中,最先進的依然是采用的7nm EUV工藝,蘋果、華為等手機廠…

1月6日消息,來自《韓國經濟》雜志的報道,三星電子旗下的半導體部門已經成功研發(fā)了全球首款3nm工藝制程的芯片。

在目前市面上流通的電子設備芯片中,最先進的依然是采用的7nm EUV工藝,蘋果、華為等手機廠商的手機芯片都采用了這一工藝。隨著今年2月份采用5nm工藝制程的芯片即將上市,5nm工藝的芯片預計將會統(tǒng)治今明兩年的高端芯片市場。

報道稱,三星研發(fā)的全球首款3nm工藝制程芯片采用了全柵極(GAAFET)技術,而三星此前研發(fā)的5nm芯片則采用了FinFET工藝,相比5nm,3nm工藝芯片的總硅片面積減少了35%,功耗降低了50%,性能提高30%。

在去年的12月底,據彭博社消息,三星電子計劃投資1160億美元進行芯片產業(yè)升級,投資半導體小型化,一種被稱為極紫外光刻(EUV)的工藝。這是三星迄今為止嘗試過的最昂貴的制造業(yè)升級。

 
 
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