近兩年安卓手機顯著提速，UFS閃存可謂功不可沒。相比eMMC閃存快上十倍的讀寫速度，讓系統(tǒng)的流暢度、游戲的加載速度大大提升。2月2日，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會正式發(fā)布了UFS 3.1閃存規(guī)范，快讓我們一起來看看吧！

UFS 3.1閃存規(guī)范提高了讀寫性能。在沿用MIPI的M-PHY 4.1物理層和8b/10b線路編碼、以及MIPI基于UinPro 1.8協(xié)議的互聯(lián)層下，UFS 3.1閃存規(guī)范可達到約2.9G每秒的傳輸速度。

UFS 3.1閃存規(guī)范還顯著提升了寫入增強：通過將UFS 3.1閃存的邏輯地址和物理地址映射在系統(tǒng)內(nèi)存中，從而達到更快速的寫入。

UFS 3.1閃存規(guī)范現(xiàn)在支持深度休眠，這是以往版本無法做到的。通過深度休眠，UFS 3.1閃存將更為移動設(shè)備和相關(guān)產(chǎn)品節(jié)約電能，從而達到更長的續(xù)航時間。

據(jù)悉，符合UFS 3.1閃存規(guī)范的閃存產(chǎn)品極有可能將由三星首先出樣，并由三星旗艦手機首發(fā)。因為S20系列即將到來，所以首發(fā)UFS 3.1閃存的三星新機極有可能是今年的Note系列。