在晶圓代工龍頭臺積電將于 2020 年正式量產 5 納米制程，而競爭對手三星也在追趕的情況下，目前兩家公司也在積極研發更先進的 3 納米制程。

這些先進半導體制程能研發成功，且讓未來生產良率保持一定水準，光刻機絕對是關鍵。就臺積電與三星來說，最新極紫外光刻機（EUV）早就使用在 7 納米制程，未來 5 納米制程也將會繼續沿用。至于更新的 3 納米制程，目前光刻機龍頭──荷蘭商ASML也正研發新一代極紫外光刻機，以因應市場需求。

隨著臺積電與三星在 7 納米 EUV 制程量產，ASML 的 EUV 光刻機需求也快速攀升。根據 2020 年 1 月 ASML 公布的 2019 年第 4 季及當年全年財報顯示，光是 2019 年第 4 季，ASML 就出貨了 8 臺 EUV 光刻機，并收到 9 臺 EUV 光刻機訂單。全年 EUV 光刻機訂單量達到了 62 億歐元，總計出貨了 26 臺 EUV 光刻機，比 2018 年 18 臺有顯著成長，使 EUV 光刻機對 ASML 的營收占比，從 2018 年 23% 提升到 31%。

ASML光刻機的客戶來自IDM和Foundry工廠，其中以英特爾、臺積電、三星、SK海力士為主。

根據 ASML 預估，2020 年將會交付 35 臺 EUV 光刻機，2021 年進一步提高到 45~50 臺交付量。不僅如此，ASML 還針對后續更為先進的 3 納米、2 納米制程的需求，開始規劃新一代 EUV 光刻機 EXE:5000 系列。

報導進一步指出，EXE:5000 系列將會把物鏡系統的 NA（數值孔徑）由上一代的 NXE:3400B/C 的 0.33，提升至 0.55，如此可達成小于 1.7 納米的套刻誤差，每小時處理晶圓數也將提升至 185WPH。根據 ASML 公布的資訊顯示，EXE:5000 系列光刻機預計最快在 2021 年問世。不過首發設備還是樣機，所以最快要到 2022 年或 2023 年才能量產交付客戶。

而如果按照目前臺積電的和三星的進度來看，臺積電在 2020 年量產 5 納米制程，而 3 納米制程預計最快可能也要等到 2022 年才會量產。

至于，三星方面，按照規劃，在 6 納米 LPP 制程之后，還有 5 納米 LPE、4 納米 LPE 兩個制程節點，之后將進入 3 納米制程。規劃的 3 納米制程分為 GAE（GAA Early）及 GAP（GAA Plus）兩世代。

其中， 2019 年 5 月三星就宣布 3 納米 GAE 的設計套件 0.1 版本已經準備完成，可以幫助客戶啟動 3 納米制程的設計。只是從設計到量產，預計還要一段時間，其中還有試產的部分，因此預估量產時間最快要等到 2022 年之后。

據了解，目前臺積電方面的 3 納米制程研發進展順利，已經開始與早期客戶進行接觸。而臺積電新投資新臺幣 6,000 億元的 3 納米新竹寶山廠也于 2019 年通過了用地申請，預計將于 2020 年正式動工。屆時完成之后，應該就會看到 ASML 的新一代 EXE:5000 A 系列光刻機進駐，生產更先進的半導體芯片。