HUSTEC-1600A-MT是一款大功率器件參數(shù)測(cè)試儀，可用于IGBT單管及模塊，SIC器件，MOS管，二極管等功率器件的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。
產(chǎn)品測(cè)試電流電壓為1600A,±5000V,向下兼容，可升級(jí)到3KA/10KV.
VGE可達(dá)±100V；開啟電壓VGETH支持兩種測(cè)試方法；
采用插槽式設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，便于升級(jí)和維護(hù)；
設(shè)備支持SI基，SIC材料的MOS管，IGBT單管及模塊，二極管測(cè)試，晶閘管測(cè)試，
自動(dòng)進(jìn)行分檔測(cè)試，既覆蓋大功率特征下的測(cè)試范圍，又可保證小功率器件測(cè)試精度
支持單點(diǎn)測(cè)試，I-V曲線掃描，還具有曲線對(duì)比功能；同一規(guī)格型號(hào)，不同批次的產(chǎn)品曲線對(duì)比，同一規(guī)格，不同廠家之家的產(chǎn)品曲線對(duì)比
開放通訊接口，可以連接探針臺(tái)做wafer / chip 測(cè)試，也可以連接HANDLE,夾具及適配器做模塊測(cè)試,
測(cè)試數(shù)據(jù)可存儲(chǔ)為Excel文件，WORD報(bào)告
技術(shù)指標(biāo) Technical Specifications
技術(shù)指標(biāo)
★ 3.4 VGE(th)柵極閾值電壓 VGE：0.1～10V±1％±0.01V；
 3.5 VGE(th)
測(cè)試條件與精度 集電極電流Ic：
10～50mA±1％±0.5mA；
50～200mA±1％±1mA；
200～1000mA±1％±2mA；
★ 3.6 VCES集射極截止電壓 VCES：0-5000V±1％±2V；
 3.7 VCES
測(cè)試條件與精度 集電極電流ICES：
0.01～1mA±3％±0.001mA；
1～10mA±2％±0.01mA；
10～50mA±1％±0.1mA；
★ 3.8 ICES集射極截止電流 集電極電流ICES：0.01～50mA
0.001～1mA±3％±0.001mA；
1～10mA±2％±0.01mA；
10～50mA±1％±0.1mA；
 3.9 ICES
測(cè)試條件與精度 集電極電壓VCES：50～500V±1％±1V；
500～5000V±1％±2V；
★ 3.10  VCE(sat)飽和導(dǎo)通壓降 集電極電壓VCEs：0.001～10V±0.5％±0.001V
 3.11 VCE(sat)
測(cè)試條件與精度
 柵極電壓Vge：5～40V±1％±0.01V
集電極電流ICE：0-1600A
0～100A±1％±1A；
100～1600A±1％±1A；
★ 3.12  Iges柵極漏電流 柵極漏電流IGEs：0.01～10μA±2％±0.005μA
 3.13 Iges測(cè)試條件與精度 柵極電壓Vge：±1Ｖ～100V±1％±0.1V；Vce=0V；
★ 3.14  VF正向特性測(cè)試 二極管導(dǎo)通電壓Vf：0.1～10V±1％±0.01V
 3.15 VF正向特性測(cè)試
測(cè)試條件與精度 電流IF：0～100A±2％±1A；
100～1600A±1％±2A；